强茂 谐振 反激控制器

一、产品简介

DRFLYBACK 是强茂（PANJIT）推出的行业首创专利型谐振反激控制芯片，分为 DRFLYBACK-A、DRFLYBACK-B 两大型号，芯片集成 650V 高侧超结 MOSFET，支持高低侧开关近乎全程零电压开关（ZVS），相比传统准谐振（QR）反激拓扑效率提升约 2%，兼顾高效率、高功率密度与低 EMI 特性。该芯片适配 10W~150W 功率段 AC-DC 电源，可搭配硅 MOS、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）器件使用，广泛应用于 USB PD 充电器、各类电源适配器等场景，是轻薄化、高能效电源设计的优选方案。

二、核心优势与产品特性

1. 专利拓扑架构拥有中美双重专利，采用谐振反激架构，高低侧开关可实现近乎全程 ZVS，大幅降低开关损耗，同时缩减 EMI 滤波器、变压器体积，助力电源小型化设计。

2. 超高转换效率系统整体效率可达 95%~96%，全负载区间（满载 / 75%/50%/25%/10% 轻载）效率均经过优化；230Vac、5V 输出工况下空载功耗低于 32mW，待机表现优异。

3. 高度集成设计内置 650V/4A、Rds (on) 典型值 1.2Ω 高侧超结 MOSFET，集成 200V LDO 电路，外围元器件数量少（USB PD 方案整机元件约 60 颗），简化 PCB 布局、降低综合成本。

4. 灵活频率配置支持激光修调设置轻载开关频率，默认轻载频率 89kHz；重载无频率钳位，可根据变压器与系统需求自由搭配高频方案，兼容 GaN、SiC 等新型功率器件。

5. 无损缓冲电路仅需搭配小于 2nF 的外置缓冲电容，无需缓冲电阻，进一步减少损耗、提升可靠性。

6. 多工作模式支持 CRM（临界导通）、DCM（断续导通）、KICK（突发）多种工作模式，全电压、全负载工况适配性强。

7. 完善保护功能集成多重防护机制，包含输入过压保护、输入欠压闭锁、输出过压 / 欠压保护、峰值负载保护、芯片过热保护、电流检测过压保护等；两大型号保护逻辑区分：DRFLYBACK-A 全部保护为重试模式，DRFLYBACK-B 全部保护为锁存模式，满足不同设备安全设计需求。

8. 宽温与高耐压芯片工作温度范围 -40℃ ~ +125℃，存储温度 -65℃ ~ +150℃；高压引脚最高耐压达 800V，适配全球电网电压输入。

9. 环保合规采用 TSSOP-18 贴片封装，适配自动化 SMT 生产，符合行业通用可靠性标准。

三、核心电气参数

四、产品型号区分

| 型号 | 保护模式 | 封装 | 包装规格 || ---- | ---- | ---- || DRFLYBACK-A | 所有故障保护为重试模式 | TSSOP-18L | 13 英寸卷带，2500pcs / 卷 || DRFLYBACK-B | 所有故障保护为锁存模式 | TSSOP-18L | 13 英寸卷带，2500pcs / 卷 |

五、典型应用场景

1. 快充适配器：45W、65W USB-C PD 快充充电器，主流 5V/9V/15V/20V 多电压输出快充产品。

2. 通用电源适配器：各类无外壳超薄电源、便携式设备供电电源，追求高功率密度的电源方案。

3. 工业辅助电源：工控设备、通信模块内置辅助供电（功率区间 10~150W）。

4. 高频电源方案：搭配 GaN、SiC 功率器件的高频 AC-DC 转换电路。

六、性能参考（典型工况）

· 45W PD 方案：115Vac/230Vac 输入下，全负载平均效率可达 91% 以上，满载效率最高 93.25%；

· 65W PD 方案：全负载平均效率超 89%，满载效率可达 93.60%；

· 功率密度：整机功率密度可达 32.8W/in³（2W/cc），满足设备轻薄化设计需求。

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