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MOS管

PJQ65702U3‑AU 车规 MOSFET

PJQ65702U3‑AU 是强茂PDFN8080‑8L 封装 N 沟道增强型功率 MOSFET

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产品详情

一、产品简介

PJQ65702U3‑AU 是强茂PDFN8080‑8L 封装 N 沟道增强型功率 MOSFET,车规 AEC‑Q101 认证,耐压 100V,Tc25℃连续漏极电流 340A,具备极低导通电阻 Rds (on) 最大 1.7mΩ;100% 雪崩 UIS 测试,耐高温结温可达 175℃,采用标准电平驱动,无铅符合 RoHS2.0,适合车载、大功率 DC‑DC、电机驱动、大功率开关电源等高功率场景。卷带 3Kpcs/13 英寸编带出货。

二、核心产品特性

  1. 超大电流、极低导通电阻VGS=10V 条件下 Rds (on) 最大仅 1.7mΩ,大幅降低导通损耗;Tc=25℃连续漏极电流 340A,脉冲漏极电流可达 1360A,适合大功率通路。

  2. 车规级可靠性AEC‑Q101 汽车电子认证;生产 100% 雪崩 UIS 测试;结温范围‑55℃~+175℃,抗冲击、高温工况稳定。

  3. PDFN8080‑8L 大电流贴片封装大散热焊盘 PDFN8080‑8L 贴片封装,热阻 RθJC 低至 0.38℃/W,散热能力优秀,适配 SMT 自动化贴装。

  4. 标准电平驱动标准驱动电平,常规 MOS 管驱动芯片即可直接驱动,无需特殊驱动电路。

  5. 合规环保符合 EU RoHS2.0,绿色模塑化合物遵从 IEC 61249 标准,无铅可焊端子。

  6. 优异本体二极管性能内置高性能体二极管,反向恢复特性良好,适合感性负载、电机换向场景。

三、关键电气参数

参数项目规格指标
型号PJQ65702U3‑AU
器件类型N‑Channel 增强型 MOSFET
封装PDFN8080‑8L
漏源耐压 VDS100V
连续漏极电流 ID (Tc=25℃)340A
脉冲漏极电流 IDM1360A
RDS (on) 最大值 (VGS=10V,ID=50A)1.7mΩ
栅源电压 VGS±20V
单脉冲雪崩能量 EAS1013mJ
结温 / 存储温度 Tj,Tstg‑55℃ ~ +175℃
结到壳热阻 RθJC0.38℃/W
认证AEC‑Q101、RoHS2.0
包装规格13" 卷带,3000PCS / 卷

四、典型应用场景

  1. 汽车电子:车载 BMS 电池管理、车载大功率 DC‑DC、车载电机驱动、车载负载开关;

  2. 工业电源:大功率 DC‑DC 变换器、储能变流、大功率开关电源;

  3. 电机控制:大功率 BLDC 无刷电机、伺服电机驱动;

  4. 储能设备:储能模块、大功率负载开关、电池保护通路。


PS:汉盈科技一站式提供强茂全系列产品,如需规格资料、样品测试、技术交流、查库存等,欢迎和汉盈联系。

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