超低损耗的650V耐压IGBT

一、产品简介

RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR 属于 ROHM 第四代650V 耐压场截止沟槽 IGBT（EcoIGBT™），通过芯片工艺与外围结构优化，兼顾超低导通损耗与优异短路耐受能力，全部满足 AEC-Q101 车规认证。分为内置 FRD 快速恢复二极管版本与无内置二极管版本；同时提供 SG83xxWN 裸芯片，TO-247-4L 封装型号处于开发阶段。非常适合新能源车辅助系统以及工业变频器，在实现高效率的同时保障系统短路故障下的可靠性。

二、核心产品特性

1. 业界超低导通损耗 典型饱和压降 VCE (sat) 低至 1.55V，同时降低开关损耗，提升整机变换效率，减少发热。

2. 优异短路耐受能力 Tj=25℃条件下短路耐受时间可达 7μs，给故障检测、保护动作预留充足时间，解决低损耗与短路耐量的性能权衡难题，提升逆变器、加热器电路可靠性。

3. 完整车规级可靠性 AEC-Q101 汽车分立器件认证，结温工作范围-40℃~+175℃，适配车载严苛高低温工况。

4. 丰富产品选型矩阵 TO-247N 封装 12 个型号，提供带 / 不带内置快速恢复二极管两种方案；同时提供 SG83xxWN 系列裸芯片，满足模块封装客户需求；后续将推出 TO-247-4L 封装型号。

5. 完整设计仿真资源 原厂提供 SPICE、PLECS 仿真模型、规格书，便于客户完成电路仿真与整机评估；现已量产，月产规模 100 万颗。

三、关键电气参数

四、典型应用场景

1. 车载电子：电动汽车电动压缩机、HV 高压 PTC 加热器、冷却液加热器；

2. 工业设备：电机变频器、工业压缩机逆变电路。

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