高耐压的SiC MOSFET

一、产品简介

TSC3PAK 为 ROHM 全新顶面散热表贴式 SiC MOSFET 封装，尺寸 14.00×18.58×3.50mm，属于 EcoSiC™碳化硅器件系列。散热面置于封装顶部，支持 SMT 全自动贴装，散热性能达到 TO-247-4L 插装封装同等水平；搭载罗姆第 4 代沟槽型 SiC 芯片，分为 750V、1200V 两大电压平台，同时提供消费级与 AEC-Q101 车规级型号。具备 6.66mm 大爬电距离，污染等级 2 环境可耐受 1200V 交流峰值电压，兼顾高压绝缘安全、自动化量产与优异热性能，面向新能源车 OBC、电动压缩机、光伏逆变器、服务器电源等高功率变换场景。

二、核心产品特性

1. 顶面散热创新封装 TSC3PAK 散热面在封装顶部，散热器直接从器件顶面导热，无需依赖 PCB 基板散热；支持标准 FR-4 板材，省去昂贵 IMS 绝缘金属基板；表贴封装兼容全自动 SMT 产线，解决传统插装 TO-247 只能人工焊接的痛点，兼顾散热能力与量产效率。

2. 高安全爬电距离 罗姆专有沟槽结构实现最小 6.66mm 爬电距离，污染等级 2 环境满足 1200V 交流峰值耐压，高压系统绝缘设计更简单，提升整机安全性。

3. 第四代沟槽 SiC 芯片 低导通电阻、高速开关特性，显著降低开关损耗，提升电源转换效率，降低整机能耗；器件便于多颗并联扩容，驱动简单。

4. 完整产品矩阵，车规 / 工业双版本 750V、1200V 两个电压档位；每档同时提供消费工业版与 AECQ101 车规认证型号，Rds (on) 覆盖 13-90mΩ，电流规格齐全。

5. 原厂配套设计资源 可提供仿真模型、评估资料，方便客户电路仿真与整机验证；卷带包装适配自动化贴片生产。

三、产品规格概览

代表型号： 750V：SCT4013DTW（工业） / SCT4013DTWHR（车规）； 1200V：SCT4018KTW（工业） / SCT4018KTWHR（车规）。

四、典型应用场景

1. 车载电子：xEV 电动汽车车载充电机 OBC、电动压缩机功率变换电路；

2. 工业新能源：光伏逆变器、高密度 AI 服务器电源、大功率工业电源模块。

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