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MOS管

PSMWF005N04NS3-AU 车规

PSMWF005N04NS3AU 是强茂 PANJIT40V 车规级 N 沟道屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET

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产品详情

一、产品简介

PSMWF005N04NS3AU 是强茂 PANJIT40V 车规级 N 沟道屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET,通过 AECQ101 汽车电子可靠性认证,采用先进 SGT 屏蔽栅沟槽工艺,兼顾极低导通电阻与优异开关性能,FOM 品质因数表现优秀,适合汽车及工业低压大电流开关、电源转换场景,支持55℃~175℃宽结温工作,满足车载严苛环境要求。

二、核心产品特性

1. SGT 屏蔽栅沟槽工艺 Rds (on) 导通电阻,大幅降低导通损耗;优化栅极电荷 Qg,降低开关损耗,提升整机转换效率,发热更小。

2. 车规级可靠性标准 AECQ101 完整车规认证,100% UIS 单脉冲雪崩能量测试,抗浪涌、抗雪崩能力强,最高结温 175℃,耐受车载高低温冲击环境。

3. 优异动态参数 优化寄生电容,开关速度可控,兼顾损耗与 EMI 表现,便于工程师调试。

4. 贴片功率封装 功率贴片封装,适合 SMT 自动化产线,散热性能优秀,节省 PCB 布板面积。

5. 合规环保 符合 RoHSIECQ QC080000 无卤素要求,可用于出口车载、工业项目。

三、关键规格概要

参数项目规格说明
沟道类型N‑Channel
漏源耐压 VDS40V
认证标准AEC‑Q101 车规认证
最大结温 Tj‑55℃ ~ +175℃
工艺屏蔽栅沟槽 SGT
测试100% UIS 雪崩测试

四、典型应用场景

1. 车载电子BMS 电池管理、车载 DCDC 转换器、车灯驱动、车身 BCM 模块、继电器负载开关;

2. 工业电源24V 系统负载开关、工业板卡电源通路、电磁阀驱动;

3. 消费大功率设备:电机驱动、快充副边开关、大功率负载切换。


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