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MOS管

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PJA3428-AU强茂mos管

PJA3428-AU是强茂的一款30V N沟道增强型MOSFET,该器件专为继电器驱动、速度线驱动等应用设计。

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产品详情

PJA3428-AU是强茂的一款30V N沟道增强型MOSFET,该器件专为继电器驱动、速度线驱动等应用设计,具有优异的电气性能和稳定性。


PJA3428-AU不仅通过了AEC-Q101认证,适用于汽车电子等高质量要求的领域,还采用了符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅封装。

其SOT-23封装形式小巧轻便(约0.0084克),便于在电路板上布局和安装。

引脚焊接遵循MIL-STD-750标准的方法2026,确保电气连接和机械稳定性。

主要参数

以下是PJA3428-AU的详细参数列表:

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏源电压V_DS-30--V
栅源电压V_GS+10--V
连续漏极电流I_D注4300--mA
脉冲漏极电流I_DM注1600--mA
功耗(25℃)P_DT_A=25℃500--mW
结温与存储温度范围T_J, T_STG--55-150
热阻(结至环境)R_θJA注3,4--250℃/W
静态漏源击穿电压BV_DSSV_GS=0V, I_D=250uA30--V
栅极阈值电压V_GS(th)V_DS=V_GS, I_D=250uA0.40.751V
漏源导通电阻(不同条件)R_DS(on)V_GS=4.5V, I_D=300mA 等多种条件-0.7-1.51.2-4Ω
零栅压漏极电流I_DSSV_DS=24V, V_GS=0V--1uA
栅源泄漏电流I_GSSV_GS=+8V, V_DS=0V--+10uA
总栅极电荷Q_gV_DS=10V, I_D=300mA, V_GS=4.5V-0.9-nC


  1. 脉冲宽度<300us,占空比<2%。
  2. 基本上与操作温度无关。
  3. R_θJA是结至壳和壳至环境的热阻之和,壳热参考定义为安装在1英寸FR-4上、带有2盎司方形铜垫的漏极引脚焊接表面。
  4. 最大电流额定值受封装限制。

注意事项

在使用PJA3428-AU MOS管时,请注意以下几点,以确保其性能和可靠性:


  1. 静电防护:MOS管对静电敏感,因此在处理和存储过程中应采取防静电措施,如佩戴防静电手套、在操作前接地等。

  2. 驱动电压:确保驱动电压在器件规格书规定的范围内,过高或过低的驱动电压都可能影响MOS管的正常工作。

  3. 温度控制:操作温度应保持在器件规格书规定的范围内,避免过高温度导致器件失效或寿命缩短。

  4. 负载匹配:确保MOS管的输出负载在规定的范围内,避免过载导致器件损坏。

  5. 短路保护:在设计中考虑添加短路保护电路,以防止因故障或意外情况引起的短路损害。

  6. 封装兼容性:在选择和使用MOS管时,应考虑封装类型与电路板的兼容性,确保良好的电气连接和机械稳定性。

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。

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