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MOS管

PJQ24815AW‑AU车规 MOSFET

PJQ24815AW‑AU 是强茂DFN2020BW‑6L 微型贴片 P 沟道增强型 MOSFET

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产品详情

一、产品简介

PJQ24815AW‑AU 是强茂DFN2020BW‑6L 微型贴片 P 沟道增强型 MOSFET,AEC‑Q101 车规认证,漏源耐压‑80V,Tc=25℃连续漏极电流‑10A;具备优异 FOM 品质因数,支持逻辑电平驱动,Wettable flank 可焊侧翼引脚,方便 PCBA 焊点检测;符合 RoHS2.0 无铅环保标准,2×2mm 小封装,适合车载 BMS、负载开关、工业电源、电池保护等空间受限的功率电路,7 英寸卷带,3000PCS / 卷出货。

二、核心产品特性

  1. 逻辑电平驱动,低导通电阻VGS=-10V 条件下 Rds (on) 最大 170mΩ;VGS=-4.5V 低压栅极驱动时 Rds (on) 最大 200mΩ,普通逻辑芯片可直接驱动,导通损耗低。

  2. 车规级高可靠性AEC‑Q101 汽车电子认证;结温工作区间‑55℃~+175℃,耐受车载严苛高低温工况。

  3. DFN2020BW‑6L 小体积贴片封装2×2mm 紧凑型封装,可焊侧边引脚,便于外观焊点检查;适配 SMT 自动化贴装,节约 PCB 布板面积。

  4. 优秀开关性能栅电荷 Qg 典型 16.3nC,FOM 品质因数优异,开关损耗低;内置体二极管,反向恢复 Trr 典型 18ns,适配感性负载电路。

  5. 环保合规EU RoHS2.0 无铅,绿色模塑材料符合 IEC 61249 标准,端子满足 MIL‑STD‑750 可焊性规范。

三、关键电气参数

参数项目规格指标
型号PJQ24815AW‑AU
器件类型P‑Channel 增强型 MOSFET
封装DFN2020BW‑6L(2×2mm)
漏源耐压 VDS-80V
连续漏极电流 ID (Tc=25℃)‑10A
脉冲漏极电流 IDM‑18A
RDS (on) 最大值 (VGS=-10V,ID=-2A)170mΩ
RDS (on) 最大值 (VGS=-4.5V,ID=-1.5A)200mΩ
栅源电压 VGS±20V
结温 / 存储温度 Tj,Tstg‑55℃ ~ +175℃
结到壳热阻 RθJC4.1℃/W
认证AEC‑Q101、RoHS2.0
包装规格7" 卷带,3000PCS / 卷

四、典型应用场景

  1. 汽车电子:车载 BMS 电池管理、车载负载开关、电源反向防反接保护;

  2. 工业控制:工业板卡电源通断、供电回路控制;

  3. 储能消费类:便携式设备电源路径管理、电池保护、负压开关;

  4. 电源系统:DC‑DC 转换器、负载电源开关控制。


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