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PJQ24813AW‑AU 是强茂DFN2020BW‑6L 微型贴片 P 沟道增强型 MOSFET
产品详情
PJQ24813AW‑AU 是强茂DFN2020BW‑6L 微型贴片 P 沟道增强型 MOSFET,具备 AEC‑Q101 车规认证,漏源耐压‑80V,Tc=25℃连续漏极电流‑12A;优异 FOM 品质因数,支持逻辑电平驱动,Wettable flank 可焊侧翼引脚,便于 PCBA 焊点外观检测;符合 EU RoHS2.0 无铅环保,2×2mm 紧凑封装,适用于车载 BMS、负载开关、电池保护、工业电源等空间受限功率电路,7 英寸卷带,3000PCS / 卷出货。
逻辑电平驱动,超低导通电阻VGS=-10V 时 Rds (on) 最大 123mΩ;VGS=-4.5V 低压栅极驱动条件下 Rds (on) 最大 144mΩ,普通逻辑 IO 可直接驱动,导通损耗低。
车规级高可靠性AEC‑Q101 汽车电子认证;工作结温‑55℃~+175℃,可承受车载严苛高低温工况。
DFN2020BW‑6L 小体积贴片封装2×2mm 紧凑型封装,带可焊侧边引脚,便于焊点检测;适配 SMT 自动化贴装,节约 PCB 布板面积。
优良开关性能栅电荷 Qg 典型 21nC,FOM 品质因数优秀,开关损耗低;内置体二极管,反向恢复 Trr 典型 18ns,适配感性负载电路。
环保合规EU RoHS2.0 无铅,绿色模塑化合物符合 IEC 61249 标准,端子满足 MIL‑STD‑750 可焊性规范。
| 参数项目 | 规格指标 |
|---|---|
| 型号 | PJQ24813AW‑AU |
| 器件类型 | P‑Channel 增强型 MOSFET |
| 封装 | DFN2020BW‑6L(2×2mm) |
| 漏源耐压 VDS | -80V |
| 连续漏极电流 ID (Tc=25℃) | ‑12A |
| 脉冲漏极电流 IDM | ‑24A |
| RDS (on) 最大值 (VGS=-10V,ID=-2A) | 123mΩ |
| RDS (on) 最大值 (VGS=-4.5V,ID=-1.5A) | 144mΩ |
| 栅源电压 VGS | ±20V |
| 结温 / 存储温度 Tj,Tstg | ‑55℃ ~ +175℃ |
| 结到壳热阻 RθJC | 3.3℃/W |
| 认证 | AEC‑Q101、RoHS2.0 |
| 包装规格 | 7" 卷带,3000PCS / 卷 |
汽车电子:车载 BMS 电池管理、车载负载开关、电源防反接保护;
工业控制:工业板卡电源通断、供电回路控制;
储能消费类:便携式设备电源路径管理、电池保护、负压开关;
电源系统:DC‑DC 转换器、负载电源开关控制。
PS:汉盈科技一站式提供强茂全系列产品,如需规格资料、样品测试、技术交流、查库存等,欢迎和汉盈联系。
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